DC8550B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DC8550B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 85

Encapsulados: TO92

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DC8550B datasheet

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DC8550B

DC COMPONENTS CO., LTD. DC8550 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Pinning .190(4.83) 1 = Emitter .170(4.33) 2 = Base 2oTyp 3 = Collector .190(4.83) .170(4.33) 2oTyp Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .500 Characterist

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DC8550B

January 2008 FDC855N tm Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27m Features General Description Max rDS(on) = 27m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m at VGS = 4.5V, ID = 5.3A Semiconductor s advanced PowerTrench

Otros transistores... CHT846BPTS, CHT857BTPTQ, CHT857BTPTR, CHT857BTPTS, CHT858BWPTQ, CHT858BWPTR, CHT858BWPTS, CHTA27XPT, 2N5551, DC8550C, DC8550D, DC8550E, EB102, FA1L3Z-L36, FA1L3Z-L37, FA1L3Z-L38, KSC5802D