Справочник транзисторов. DC8550B

 

Биполярный транзистор DC8550B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DC8550B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для DC8550B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DC8550B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:64K  dc components
 dc8550.pdf pdf_icon

DC8550B

DC COMPONENTS CO., LTD.DC8550DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for use in 2W output amplifier of portableradios in class B push-pull operation.TO-92Pinning.190(4.83)1 = Emitter.170(4.33)2 = Base2oTyp3 = Collector.190(4.83).170(4.33)2oTypAbsolute Maximum Ratings(TA=25oC).500Characterist

 9.1. Size:279K  fairchild semi
 fdc855n.pdf pdf_icon

DC8550B

January 2008FDC855NtmSingle N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27mFeatures General Description Max rDS(on) = 27m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m at VGS = 4.5V, ID = 5.3ASemiconductors advanced PowerTrench

Другие транзисторы... CHT846BPTS , CHT857BTPTQ , CHT857BTPTR , CHT857BTPTS , CHT858BWPTQ , CHT858BWPTR , CHT858BWPTS , CHTA27XPT , AC125 , DC8550C , DC8550D , DC8550E , EB102 , FA1L3Z-L36 , FA1L3Z-L37 , FA1L3Z-L38 , KSC5802D .

History: BUY17 | 2SA151 | 2SC1664A | STD6528S | MJ10200

 

 
Back to Top

 


 
.