DC8550D Todos los transistores

 

DC8550D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DC8550D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 160

Empaquetado / Estuche: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DC8550D

 

DC8550D Datasheet (PDF)

4.1. dc8550.pdf Size:64K _update_bjt

DC8550D

DC COMPONENTS CO., LTD. DC8550 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Pinning .190(4.83) 1 = Emitter .170(4.33) 2 = Base 2oTyp 3 = Collector .190(4.83) .170(4.33) 2oTyp Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .500 Characterist

5.1. fdc855n.pdf Size:279K _fairchild_semi

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January 2008 FDC855N tm Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27m? Features General Description Max rDS(on) = 27m? at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m? at VGS = 4.5V, ID = 5.3A Semiconductors advanced PowerTrench process, thi

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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