Справочник транзисторов. DC8550D

 

Биполярный транзистор DC8550D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DC8550D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для DC8550D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DC8550D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:64K  dc components
 dc8550.pdf pdf_icon

DC8550D

DC COMPONENTS CO., LTD.DC8550DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for use in 2W output amplifier of portableradios in class B push-pull operation.TO-92Pinning.190(4.83)1 = Emitter.170(4.33)2 = Base2oTyp3 = Collector.190(4.83).170(4.33)2oTypAbsolute Maximum Ratings(TA=25oC).500Characterist

 9.1. Size:279K  fairchild semi
 fdc855n.pdf pdf_icon

DC8550D

January 2008FDC855NtmSingle N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27mFeatures General Description Max rDS(on) = 27m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m at VGS = 4.5V, ID = 5.3ASemiconductors advanced PowerTrench

Другие транзисторы... CHT857BTPTR , CHT857BTPTS , CHT858BWPTQ , CHT858BWPTR , CHT858BWPTS , CHTA27XPT , DC8550B , DC8550C , 2N2222 , DC8550E , EB102 , FA1L3Z-L36 , FA1L3Z-L37 , FA1L3Z-L38 , KSC5802D , KTC601UY , NP061A3 .

History: KSD1021 | PN5910 | 2SC5518 | MPQ5550R | 2N4921G | KT814A9 | B772O

 

 
Back to Top

 


 
.