UNR921KJ . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UNR921KJ
Código: 8P
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 2.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: SC89
Búsqueda de reemplazo de UNR921KJ
UNR921KJ Datasheet (PDF)
unr921xj un921xj series.pdf

Transistors with built-in ResistorUNR92XXJ Series (UN92XXJ Series)Silicon NPN epitaxial planer typeUnit: mm1.60+0.050.03For digital circuit0.12+0.030.011.000.053 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and1 2reduction of the number of parts.0.270.02 SS-mini type package, allowing automatic insertion through tape(0.50)(0
Otros transistores... UNR921BJ , UNR921CJ , UNR921DJ , UN921DJ , UNR921EJ , UN921EJ , UNR921FJ , UN921FJ , 2N4401 , UN921KJ , UNR921LJ , UN921LJ , UNR921MJ , UNR921NJ , UNR921TJ , UN921TJ , UNR921VJ .
History: DMC56407 | 2SC5459 | BSV52R
History: DMC56407 | 2SC5459 | BSV52R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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