UNR511E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UNR511E 📄📄
Código: 6N
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 2.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: SC70
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UNR511E datasheet
unr511x un511x series.pdf
Transistors with built-in Resistor UNR511x Series (UN511x Series) Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm For digital circuits 0.15+0.10 0.3+0.1 0.05 0.0 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts 1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/ magazine packing (0.65) (0.65)
Otros transistores... UNR5113, UNR5114, UNR5115, UNR5116, UNR5117, UNR5118, UNR5119, UNR511D, D882, UNR511F, UNR511H, UNR511L, UNR511M, UNR511N, UNR511T, UNR511V, UNR511Z
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2N6255 | 2SB922LR | MMUN2114 | 2SD418 | UNR9214J | BFW69 | KRC286U
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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