UNR511M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UNR511M
Código: EI
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SC70
Búsqueda de reemplazo de UNR511M
UNR511M Datasheet (PDF)
unr511x un511x series.pdf

Transistors with built-in ResistorUNR511x Series (UN511x Series)Silicon PNP epitaxial planar typeUnit: mmFor digital circuits0.15+0.100.3+0.10.050.03 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/magazine packing (0.65) (0.65)
Otros transistores... UNR5117 , UNR5118 , UNR5119 , UNR511D , UNR511E , UNR511F , UNR511H , UNR511L , 13003 , UNR511N , UNR511T , UNR511V , UNR511Z , UN5110 , UN5111 , UN5112 , UN5113 .
History: BFR88 | NPS3906 | 2SB522-1 | IT138-71 | ST414 | PBSS4520X
History: BFR88 | NPS3906 | 2SB522-1 | IT138-71 | ST414 | PBSS4520X



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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