2NC5566 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2NC5566
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 230 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 750 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
Paquete / Cubierta: TO-3PL
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2NC5566
2NC5566 Datasheet (PDF)
2nc5566.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2NC5566DESCRIPTIONHigh Current CapabilityHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 230V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fidelity audio frequency amplifieroutput stage applicatio
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .