2NC5566 Todos los transistores

 

2NC5566 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2NC5566
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 230 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 750 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO-3PL
 

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2NC5566 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 2nc5566.pdf pdf_icon

2NC5566

isc Silicon NPN Power Transistor 2NC5566DESCRIPTIONHigh Current CapabilityHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 230V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fidelity audio frequency amplifieroutput stage applicatio

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History: 2SA1627 | 2SA812M3

 

 
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