2NC5566 Todos los transistores

 

2NC5566 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2NC5566

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 230 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 25 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 750 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TO-3PL

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2NC5566 datasheet

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
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2NC5566

isc Silicon NPN Power Transistor 2NC5566 DESCRIPTION High Current Capability High Power Dissipation High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 230V(Min) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage applicatio

Otros transistores... UN511Z , FJP5027R , FJP5027O , ZDT690 , ZDT705 , ZDT758 , 2N3171H , 2N3772J , TIP42 , 2SA1012D , 2SC5200H , 2SD1286-Z , 2SD1804L-T , 2SD2901 , 2ST501T , 3CD9A , 3CD9B .

 

 

 

 

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