Справочник транзисторов. 2NC5566

 

Биполярный транзистор 2NC5566 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2NC5566
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 750 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO-3PL
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2NC5566 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 2nc5566.pdf pdf_icon

2NC5566

isc Silicon NPN Power Transistor 2NC5566DESCRIPTIONHigh Current CapabilityHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 230V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fidelity audio frequency amplifieroutput stage applicatio

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SC3856Y | 2SB392 | SS8050B | 2N2221A | 2SB796 | 2SD1928 | KT639V1

 

 
Back to Top

 


 
.