Справочник транзисторов. 2NC5566

 

Биполярный транзистор 2NC5566 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2NC5566
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 750 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO-3PL
 

 Аналог (замена) для 2NC5566

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2NC5566 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 2nc5566.pdf pdf_icon

2NC5566

isc Silicon NPN Power Transistor 2NC5566DESCRIPTIONHigh Current CapabilityHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 230V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fidelity audio frequency amplifieroutput stage applicatio

Другие транзисторы... UN511Z , FJP5027R , FJP5027O , ZDT690 , ZDT705 , ZDT758 , 2N3171H , 2N3772J , TIP127 , 2SA1012D , 2SC5200H , 2SD1286-Z , 2SD1804L-T , 2SD2901 , 2ST501T , 3CD9A , 3CD9B .

 

 
Back to Top

 


 
.