2NC5566 - описание и поиск аналогов

 

2NC5566. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2NC5566

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 750 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO-3PL

 Аналоги (замена) для 2NC5566

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2NC5566 даташит

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 2nc5566.pdf pdf_icon

2NC5566

isc Silicon NPN Power Transistor 2NC5566 DESCRIPTION High Current Capability High Power Dissipation High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 230V(Min) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage applicatio

Другие транзисторы... UN511Z , FJP5027R , FJP5027O , ZDT690 , ZDT705 , ZDT758 , 2N3171H , 2N3772J , TIP42 , 2SA1012D , 2SC5200H , 2SD1286-Z , 2SD1804L-T , 2SD2901 , 2ST501T , 3CD9A , 3CD9B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.