2ST501T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2ST501T
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 330 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
Paquete / Cubierta: TO-220C
Búsqueda de reemplazo de 2ST501T
2ST501T Datasheet (PDF)
2st501t.pdf

2ST501THIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTORn HIGH VOLTAGE SPECIAL DARLINGTON Figure 1: PackageSTRUCTUREn VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGYn HIGH OPERATION JUNCTIONTEMPERATUREn HIGH DC CURRENT GAINAPPLICATIONS3n DRIVER FOR SOLENOID, RELAY AND 2MOTOR 1 TO-220DESCRIPTIONThe 2ST501T is a High Voltage NPN silicontransistor in monolithic special Darlingtonconfiguration mou
2st501t.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2ST501TDESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current GainMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio power amplifiersRelay & solenoid driversMotor controlsGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Otros transistores... 2N3171H , 2N3772J , 2NC5566 , 2SA1012D , 2SC5200H , 2SD1286-Z , 2SD1804L-T , 2SD2901 , 8550 , 3CD9A , 3CD9B , 3CD9C , 3CD9D , 3CD9F , 3CF20D , 3DA98 , 3DA98J .
History: 2N2669
History: 2N2669



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013