2ST501T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2ST501T
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 330 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: TO-220C
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2ST501T datasheet
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2ST501T HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR n HIGH VOLTAGE SPECIAL DARLINGTON Figure 1 Package STRUCTURE n VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY n HIGH OPERATION JUNCTION TEMPERATURE n HIGH DC CURRENT GAIN APPLICATIONS 3 n DRIVER FOR SOLENOID, RELAY AND 2 MOTOR 1 TO-220 DESCRIPTION The 2ST501T is a High Voltage NPN silicon transistor in monolithic special Darlington configuration mou
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INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2ST501T DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High DC Current Gain Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio power amplifiers Relay & solenoid drivers Motor controls General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a
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History: 2SD2901 | BD320C | 3CF20D
History: 2SD2901 | BD320C | 3CF20D
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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