Биполярный транзистор 2ST501T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2ST501T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: TO-220C
2ST501T Datasheet (PDF)
2st501t.pdf
2ST501THIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTORn HIGH VOLTAGE SPECIAL DARLINGTON Figure 1: PackageSTRUCTUREn VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGYn HIGH OPERATION JUNCTIONTEMPERATUREn HIGH DC CURRENT GAINAPPLICATIONS3n DRIVER FOR SOLENOID, RELAY AND 2MOTOR 1 TO-220DESCRIPTIONThe 2ST501T is a High Voltage NPN silicontransistor in monolithic special Darlingtonconfiguration mou
2st501t.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2ST501TDESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current GainMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio power amplifiersRelay & solenoid driversMotor controlsGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050