2ST501T - описание и поиск аналогов

 

2ST501T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2ST501T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO-220C

 Аналоги (замена) для 2ST501T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2ST501T даташит

 ..1. Size:148K  st
 2st501t.pdf pdf_icon

2ST501T

2ST501T HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR n HIGH VOLTAGE SPECIAL DARLINGTON Figure 1 Package STRUCTURE n VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY n HIGH OPERATION JUNCTION TEMPERATURE n HIGH DC CURRENT GAIN APPLICATIONS 3 n DRIVER FOR SOLENOID, RELAY AND 2 MOTOR 1 TO-220 DESCRIPTION The 2ST501T is a High Voltage NPN silicon transistor in monolithic special Darlington configuration mou

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 2st501t.pdf pdf_icon

2ST501T

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2ST501T DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High DC Current Gain Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio power amplifiers Relay & solenoid drivers Motor controls General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

Другие транзисторы: 2N3171H, 2N3772J, 2NC5566, 2SA1012D, 2SC5200H, 2SD1286-Z, 2SD1804L-T, 2SD2901, 2SC2655, 3CD9A, 3CD9B, 3CD9C, 3CD9D, 3CD9F, 3CF20D, 3DA98, 3DA98J

 

 

 

 

↑ Back to Top
.