Справочник транзисторов. 2ST501T

 

Биполярный транзистор 2ST501T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2ST501T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO-220C
 

 Аналог (замена) для 2ST501T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2ST501T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  st
 2st501t.pdf pdf_icon

2ST501T

2ST501THIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTORn HIGH VOLTAGE SPECIAL DARLINGTON Figure 1: PackageSTRUCTUREn VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGYn HIGH OPERATION JUNCTIONTEMPERATUREn HIGH DC CURRENT GAINAPPLICATIONS3n DRIVER FOR SOLENOID, RELAY AND 2MOTOR 1 TO-220DESCRIPTIONThe 2ST501T is a High Voltage NPN silicontransistor in monolithic special Darlingtonconfiguration mou

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 2st501t.pdf pdf_icon

2ST501T

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2ST501TDESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current GainMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio power amplifiersRelay & solenoid driversMotor controlsGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Другие транзисторы... 2N3171H , 2N3772J , 2NC5566 , 2SA1012D , 2SC5200H , 2SD1286-Z , 2SD1804L-T , 2SD2901 , 8550 , 3CD9A , 3CD9B , 3CD9C , 3CD9D , 3CD9F , 3CF20D , 3DA98 , 3DA98J .

 

 
Back to Top

 


 
.