3CD9F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CD9F
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO-3
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3CD9F datasheet
3cd9f.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors 3CD9F DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -1.5V(Max.)@ I = -7.5A CE(sat) C DC Current Gain- h =15-120@I = -7.5A, V =-5V FE C CE 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications A
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History: TPCP8701 | S8050H | S8050L
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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