3CD9F Todos los transistores

 

3CD9F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CD9F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO-3
 

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3CD9F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
 3cd9f.pdf pdf_icon

3CD9F

isc Silicon PNP Power Transistors 3CD9FDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.5V(Max.)@ I = -7.5ACE(sat) CDC Current Gain-: h =15-120@I = -7.5A,V =-5VFE C CE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplicationsA

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History: BD373D-16 | BC238AP | 2N2696CSM | VT6X12

 

 
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