3CD9F - описание и поиск аналогов

 

3CD9F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD9F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для 3CD9F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD9F даташит

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
 3cd9f.pdf pdf_icon

3CD9F

isc Silicon PNP Power Transistors 3CD9F DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -1.5V(Max.)@ I = -7.5A CE(sat) C DC Current Gain- h =15-120@I = -7.5A, V =-5V FE C CE 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications A

Другие транзисторы: 2SD1286-Z, 2SD1804L-T, 2SD2901, 2ST501T, 3CD9A, 3CD9B, 3CD9C, 3CD9D, 2222A, 3CF20D, 3DA98, 3DA98J, 3DD100A, 3DD100B, 3DD100C, 3DD100D, 3DD100E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.