3DD523 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD523
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Paquete / Cubierta: TO-3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD523
3DD523 Datasheet (PDF)
3dd523.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD523 DESCRIPTION Excellent safe operating area Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 15
Otros transistores... 3DD167C , 3DD167D , 3DD167E , 3DD167F , 3DD200D , 3DD202A , 3DD202B , 3DD208 , C945 , 3DD880 , 3DD880X , 3DF1A , 3DF1B , 3DF1C , 3DF1D , 3DF1E , 3DF1F .
History: DDTA144EUA | BF747 | MT4104 | DTA113ZE | RN2503 | RN2504 | DDA123JU
History: DDTA144EUA | BF747 | MT4104 | DTA113ZE | RN2503 | RN2504 | DDA123JU
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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