3DD523 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD523  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO-3

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 3DD523

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3DD523 datasheet

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 3dd523.pdf pdf_icon

3DD523

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD523 DESCRIPTION Excellent safe operating area Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 15

 9.1. Size:172K  jilin sino
 3dd5287.pdf pdf_icon

3DD523

Otros transistores... 3DD167C, 3DD167D, 3DD167E, 3DD167F, 3DD200D, 3DD202A, 3DD202B, 3DD208, C945, 3DD880, 3DD880X, 3DF1A, 3DF1B, 3DF1C, 3DF1D, 3DF1E, 3DF1F