3DD523 Todos los transistores

 

3DD523 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD523
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO-3
 

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3DD523 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 3dd523.pdf pdf_icon

3DD523

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD523DESCRIPTIONExcellent safe operating areaLow Collector-Emitter Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 15

 9.1. Size:172K  jilin sino
 3dd5287.pdf pdf_icon

3DD523

NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5287 FOR LOW FREQUENCY R3DD5287 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 900 V BV CBO5 A I C0.5 V(max) V

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History: PDTC114TE | BFW36

 

 
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