3DD523 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

3DD523 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DD523
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для 3DD523

 

3DD523 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 3dd523.pdf pdf_icon

3DD523

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD523 DESCRIPTION Excellent safe operating area Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 15

 9.1. Size:172K  jilin sino
 3dd5287.pdf pdf_icon

3DD523

Другие транзисторы... 3DD167C , 3DD167D , 3DD167E , 3DD167F , 3DD200D , 3DD202A , 3DD202B , 3DD208 , C945 , 3DD880 , 3DD880X , 3DF1A , 3DF1B , 3DF1C , 3DF1D , 3DF1E , 3DF1F .

 

 
Back to Top

 


 
.