3DD523 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD523  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO-3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD523

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD523 даташит

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 3dd523.pdf pdf_icon

3DD523

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD523 DESCRIPTION Excellent safe operating area Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 15

 9.1. Size:172K  jilin sino
 3dd5287.pdf pdf_icon

3DD523

Другие транзисторы: 3DD167C, 3DD167D, 3DD167E, 3DD167F, 3DD200D, 3DD202A, 3DD202B, 3DD208, C945, 3DD880, 3DD880X, 3DF1A, 3DF1B, 3DF1C, 3DF1D, 3DF1E, 3DF1F