3DF1E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DF1E  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO-66

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3DF1E datasheet

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3DF1E

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DF1E DESCRIPTION With TO-66 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE M

Otros transistores... 3DD208, 3DD523, 3DD880, 3DD880X, 3DF1A, 3DF1B, 3DF1C, 3DF1D, BC337, 3DF1F, 3DF20A, 3DF20B, 3DF20C, 3DF20D, 3DF20E, 3DF20F, 3DK104B