3DF1E Todos los transistores

 

3DF1E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DF1E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO-66

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3DF1E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  inchange semiconductor
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3DF1E

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DF1E DESCRIPTION With TO-66 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE M

Otros transistores... 3DD208 , 3DD523 , 3DD880 , 3DD880X , 3DF1A , 3DF1B , 3DF1C , 3DF1D , BC337 , 3DF1F , 3DF20A , 3DF20B , 3DF20C , 3DF20D , 3DF20E , 3DF20F , 3DK104B .

History: TMPT3638A | UN611E

 

 
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