Справочник транзисторов. 3DF1E

 

Биполярный транзистор 3DF1E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DF1E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO-66
 

 Аналог (замена) для 3DF1E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DF1E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  inchange semiconductor
 3df1e.pdf pdf_icon

3DF1E

INCHANGE Semiconductor isc Product Specificationisc Silicon NPN Power Transistor 3DF1EDESCRIPTIONWith TO-66 packagingLarge collector currentLow collector saturation voltageHigh power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in DC-DC converterDriver of solenoid or motorABSOLUTE M

Другие транзисторы... 3DD208 , 3DD523 , 3DD880 , 3DD880X , 3DF1A , 3DF1B , 3DF1C , 3DF1D , D882 , 3DF1F , 3DF20A , 3DF20B , 3DF20C , 3DF20D , 3DF20E , 3DF20F , 3DK104B .

History: 2SA637 | BC132

 

 
Back to Top

 


 
.