3DF1E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DF1E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-66

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DF1E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DF1E даташит

 ..1. Size:185K  inchange semiconductor
 3df1e.pdf pdf_icon

3DF1E

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DF1E DESCRIPTION With TO-66 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE M

Другие транзисторы: 3DD208, 3DD523, 3DD880, 3DD880X, 3DF1A, 3DF1B, 3DF1C, 3DF1D, BC337, 3DF1F, 3DF20A, 3DF20B, 3DF20C, 3DF20D, 3DF20E, 3DF20F, 3DK104B