MJB32B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJB32B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO-263
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MJB32B Datasheet (PDF)
mjb32b.pdf

MJB32BPNP SILICON POWER TRANSISTOR SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX "T4") ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP32BAPPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT 3DESCRIPTION 1The MJB32B is manufactured usingEpitaxial-base Technology for use in mediumD2PAKpower linear and switching applications.(TO-263)(Suffix "T4")INTERNAL S
Otros transistores... BU457 , BU458 , BU459 , BUF405AF , BUL1203E , FJL6820 , KT8232A , KT8232B , TIP35C , UPA801TC-FB , UPA801TC-GB , UPA805T , 2SA1069-Z , 2SA1261-Z , 2SA1358-Z , 2SAR586D3 , 2SB1261-K .
History: 2PB709R
History: 2PB709R



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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