MJB32B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJB32B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO-263
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MJB32B datasheet
mjb32b.pdf
MJB32B PNP SILICON POWER TRANSISTOR SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX "T4") ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP32B APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT 3 DESCRIPTION 1 The MJB32B is manufactured using Epitaxial-base Technology for use in medium D2PAK power linear and switching applications. (TO-263) (Suffix "T4") INTERNAL S
Otros transistores... BU457 , BU458 , BU459 , BUF405AF , BUL1203E , FJL6820 , KT8232A , KT8232B , BD335 , UPA801TC-FB , UPA801TC-GB , UPA805T , 2SA1069-Z , 2SA1261-Z , 2SA1358-Z , 2SAR586D3 , 2SB1261-K .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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