Справочник транзисторов. MJB32B

 

Биполярный транзистор MJB32B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MJB32B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO-263

Аналоги (замена) для MJB32B

 

 

MJB32B Datasheet (PDF)

1.1. mjb32b.pdf Size:121K _update_bjt

MJB32B
MJB32B

MJB32B ® PNP SILICON POWER TRANSISTOR SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX "T4") ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP32B APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT 3 DESCRIPTION 1 The MJB32B is manufactured using Epitaxial-base Technology for use in medium D2PAK power linear and switching applications. (TO-263) (Suffix "T4") INTERNAL S

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top