MJB32B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MJB32B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO-263
MJB32B Datasheet (PDF)
mjb32b.pdf
MJB32B PNP SILICON POWER TRANSISTOR SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX "T4") ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP32B APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT 3 DESCRIPTION 1 The MJB32B is manufactured using Epitaxial-base Technology for use in medium D2PAK power linear and switching applications. (TO-263) (Suffix "T4") INTERNAL S
Другие транзисторы... BU457 , BU458 , BU459 , BUF405AF , BUL1203E , FJL6820 , KT8232A , KT8232B , BD335 , UPA801TC-FB , UPA801TC-GB , UPA805T , 2SA1069-Z , 2SA1261-Z , 2SA1358-Z , 2SAR586D3 , 2SB1261-K .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet


