BDY96D Todos los transistores

 

BDY96D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY96D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 750 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDY96D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  njs
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BDY96D

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BDY96D

isc Silicon NPN Power Transistor BDY96DDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 350V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switching regulators applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:202K  inchange semiconductor
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BDY96D

isc Silicon NPN Power Transistor BDY96DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 350V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switching regulators applications.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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History: 2SD669AD | OC309 | FE13009 | BF375C | KT207B | 40361V1 | 2SD1610

 

 
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