BDY96D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDY96D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 750 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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BDY96D datasheet

 ..1. Size:301K  njs
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BDY96D

isc Silicon NPN Power Transistor BDY96 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 350V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching regulators applications. BSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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