BDY96D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDY96D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDY96D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDY96D даташит

 ..1. Size:301K  njs
 bdy96d.pdf pdf_icon

BDY96D

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
 bdy96d.pdf pdf_icon

BDY96D

 9.1. Size:202K  inchange semiconductor
 bdy96.pdf pdf_icon

BDY96D

isc Silicon NPN Power Transistor BDY96 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 350V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.) @ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching regulators applications. BSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы: 2SD711, 2SD882U-P, 3CA168, 3DD102C, 3DD15B, 3DD15D, 3DD4515, BD134, 2SC828, BU2507AX, BU2507DX, BU2508AW, BU2508DW, BU2515AX, BU2520AW, BU2523AF, BU2523AX