MN638S Todos los transistores

 

MN638S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MN638S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 380 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 380 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1500
   Paquete / Cubierta: TO220S
 

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MN638S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  no
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MN638S

Power Transistor MN638SAbsolute Maximum Ratings Electrical Characteristics External Dimensions TO220S(Ta=25C) (Ta=25C) Symbol Ratings Unit Symbol Test Conditions Ratings UnitI AV 38050 V CBO V =330V 10maxCBO CBV 38050 V I V =6V 20max mA 10.20.3 4.440.2CEO EBO EBI =25mAV 6 V V C 330 to 430 VEBO (BR) CEO1.30.2I 6 (pulse 10) A h V =2V, I =3A 1500minC FE

 ..2. Size:268K  inchange semiconductor
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MN638S

isc Silicon NPN Power Transistor MN638SDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining VoltageV 380V(Min)CEO:Low Collector Saturation Voltage: V =1.5V(Max.)@ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

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