MN638S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MN638S

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 380 V

Tensión colector-emisor (Vce): 380 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1500

Encapsulados: TO220S

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MN638S datasheet

 ..1. Size:30K  no
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MN638S

Power Transistor MN638S Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics External Dimensions TO220S (Ta=25 C) (Ta=25 C) Symbol Ratings Unit Symbol Test Conditions Ratings Unit I A V 380 50 V CBO V =330V 10max CBO CB V 380 50 V I V =6V 20max mA 10.2 0.3 4.44 0.2 CEO EBO EB I =25mA V 6 V V C 330 to 430 V EBO (BR) CEO 1.3 0.2 I 6 (pulse 10) A h V =2V, I =3A 1500min C FE

 ..2. Size:268K  inchange semiconductor
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MN638S

isc Silicon NPN Power Transistor MN638S DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V 380V(Min) CEO Low Collector Saturation Voltage V =1.5V(Max.)@ I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

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