Аналоги MN638S. Основные параметры
Наименование производителя: MN638S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 380 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 380 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1500
Корпус транзистора: TO220S
Аналоги (замена) для MN638S
MN638S даташит
mn638s.pdf
Power Transistor MN638S Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics External Dimensions TO220S (Ta=25 C) (Ta=25 C) Symbol Ratings Unit Symbol Test Conditions Ratings Unit I A V 380 50 V CBO V =330V 10max CBO CB V 380 50 V I V =6V 20max mA 10.2 0.3 4.44 0.2 CEO EBO EB I =25mA V 6 V V C 330 to 430 V EBO (BR) CEO 1.3 0.2 I 6 (pulse 10) A h V =2V, I =3A 1500min C FE
mn638s.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MN638S DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V 380V(Min) CEO Low Collector Saturation Voltage V =1.5V(Max.)@ I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL
Другие транзисторы... BUX47AFI , KSD880W , KTC2200 , KTC2202 , KTD1945 , MJ10012T , MJE3055AT , MJE340T , 2SA1943 , TIP2955T , TIP3055T , TL142 , WT062 , YZ21 , 101NU71 , 102NU71 , 103NU71 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586


