Биполярный транзистор MN638S Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MN638S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 380 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 380 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1500
Корпус транзистора: TO220S
Аналог (замена) для MN638S
MN638S Datasheet (PDF)
mn638s.pdf

Power Transistor MN638SAbsolute Maximum Ratings Electrical Characteristics External Dimensions TO220S(Ta=25C) (Ta=25C) Symbol Ratings Unit Symbol Test Conditions Ratings UnitI AV 38050 V CBO V =330V 10maxCBO CBV 38050 V I V =6V 20max mA 10.20.3 4.440.2CEO EBO EBI =25mAV 6 V V C 330 to 430 VEBO (BR) CEO1.30.2I 6 (pulse 10) A h V =2V, I =3A 1500minC FE
mn638s.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor MN638SDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining VoltageV 380V(Min)CEO:Low Collector Saturation Voltage: V =1.5V(Max.)@ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL
Другие транзисторы... BUX47AFI , KSD880W , KTC2200 , KTC2202 , KTD1945 , MJ10012T , MJE3055AT , MJE340T , BC337 , TIP2955T , TIP3055T , TL142 , WT062 , YZ21 , 101NU71 , 102NU71 , 103NU71 .
History: GES5308 | BC857AWR | BC849BF
History: GES5308 | BC857AWR | BC849BF



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586