YZ21 Todos los transistores

 

YZ21 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YZ21

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000

Empaquetado / Estuche: TO66

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar YZ21

 

YZ21 Datasheet (PDF)

1.1. fhd21f yz21f.pdf Size:120K _update

YZ21

FHD21F(YZ21F)型 NPN 硅功率达林顿晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM Tc=25℃ 20 W ICM 5 A Tstg -55~150 ℃ V(BR) CEO ICE=5mA ≥200 V 极 限 值 V(BR) EBO IEB=5mA ≥3 V ICEO VCE=20V ≤1.5 mA IC=2A VCEsat ≤3.0 V IB=4mA VCE=5V hFE ≥500 IC=2A 外 引 1. E 发射极 线 2. B 基 极 说 3. C 集电极 明 TO-220 TO-

1.2. yz21.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor YZ21 DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : h = 2000(Min)@ I = 2A FE C ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : V = 200V(Min) CEO(SUS) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 1.3. fhd21f yz21f.pdf Size:120K _china

YZ21

FHD21F(YZ21F)型 NPN 硅功率达林顿晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM Tc=25℃ 20 W ICM 5 A Tstg -55~150 ℃ V(BR) CEO ICE=5mA ≥200 V 极 限 值 V(BR) EBO IEB=5mA ≥3 V ICEO VCE=20V ≤1.5 mA IC=2A VCEsat ≤3.0 V IB=4mA VCE=5V hFE ≥500 IC=2A 外 引 1. E 发射极 线 2. B 基 极 说 3. C 集电极 明 TO-220 TO-

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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