YZ21 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги YZ21. Основные параметры


   Наименование производителя: YZ21
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для YZ21

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

YZ21 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 yz21.pdf pdf_icon

YZ21

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor YZ21 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 2000(Min)@ I = 2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 0.1. Size:120K  china
 fhd21f yz21f.pdf pdf_icon

YZ21

FHD21F(YZ21F) NPN PCM Tc=25 20 W ICM 5 A Tstg -55 150 V(BR) CEO ICE 5mA 200 V V(BR) EBO IEB 5mA 3 V ICEO VCE=20V 1.5 mA IC=2A VCEsat 3.0 V IB=4mA VCE=5V hFE 500 IC=2A 1. E 2. B 3. C TO-220 TO-

 0.2. Size:199K  inchange semiconductor
 yz21d.pdf pdf_icon

YZ21

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor YZ21D DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 500(Min)@ I = 2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 110V(Min) CEO(SUS) APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a UNI SYMBOL PARAMETER VALUE T V Collector-Base Voltage 110 V CBO V Colle

Другие транзисторы... MJ10012T , MJE3055AT , MJE340T , MN638S , TIP2955T , TIP3055T , TL142 , WT062 , TIP3055 , 101NU71 , 102NU71 , 103NU71 , 104NU71 , 2T951A , 2T951B , 2T951V , D71F2T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.