Биполярный транзистор YZ21 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: YZ21
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: TO66
YZ21 Datasheet (PDF)
1.1. fhd21f yz21f.pdf 
Size:120K _update
FHD21F(YZ21F)型 NPN 硅功率达林顿晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM Tc=25℃ 20 W ICM 5 A Tstg -55~150 ℃ V(BR) CEO ICE＝5mA ≥200 V 极 限 值 V(BR) EBO IEB＝5mA ≥3 V ICEO VCE=20V ≤1.5 mA IC=2A VCEsat ≤3.0 V IB=4mA VCE=5V hFE ≥500 IC=2A 外 引 1. E 发射极 线 2. B 基 极 说 3. C 集电极 明 TO-220 TO-
1.2. yz21.pdf Size:206K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor YZ21 DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : h = 2000(Min)@ I = 2A FE C ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : V = 200V(Min) CEO(SUS) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =
1.3. fhd21f yz21f.pdf Size:120K _china
FHD21F(YZ21F)型 NPN 硅功率达林顿晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM Tc=25℃ 20 W ICM 5 A Tstg -55~150 ℃ V(BR) CEO ICE＝5mA ≥200 V 极 限 值 V(BR) EBO IEB＝5mA ≥3 V ICEO VCE=20V ≤1.5 mA IC=2A VCEsat ≤3.0 V IB=4mA VCE=5V hFE ≥500 IC=2A 外 引 1. E 发射极 线 2. B 基 极 说 3. C 集电极 明 TO-220 TO-
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
