Справочник транзисторов. YZ21

 

Биполярный транзистор YZ21 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: YZ21
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для YZ21

 

 

YZ21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
yz21.pdf

YZ21 YZ21

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor YZ21DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 2000(Min)@ I = 2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 0.1. Size:120K  china
fhd21f yz21f.pdf

YZ21

FHD21F(YZ21F) NPN PCM Tc=25 20 W ICM 5 A Tstg -55~150 V(BR) CEO ICE5mA 200 V V(BR) EBO IEB5mA 3 V ICEO VCE=20V 1.5 mA IC=2A VCEsat 3.0 V IB=4mA VCE=5V hFE 500 IC=2A 1. E 2. B 3. C TO-220 TO-

 0.2. Size:199K  inchange semiconductor
yz21d.pdf

YZ21 YZ21

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor YZ21DDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 500(Min)@ I = 2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 110V(Min)CEO(SUS)APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aUNISYMBOL PARAMETER VALUETV Collector-Base Voltage 110 VCBOV Colle

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top