2T837A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2T837A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 70 V

Tensión emisor-base (Veb): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de 2T837A

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2T837A datasheet

 ..1. Size:131K  1
 2t837a 2t837b 2t837v 2t837g 2t837d 2t837e.pdf pdf_icon

2T837A

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 2t837a.pdf pdf_icon

2T837A

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO With TO-220 packaging Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -

Otros transistores... ST2001HI, SFT244, SFT245, MD1803DFH, 3DD4205D-O-M-N-C, 3DD4205D-O-Z-N-C, 2N3055B, 2SC3907S, BC546, 3CD3C, 3DA27C, 3DA608, 3DA98A, 3DA98B, 3DD164F, BFG540-X, BFP196W