Справочник транзисторов. 2T837A

 

Биполярный транзистор 2T837A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2T837A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO-220
 

 Аналог (замена) для 2T837A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2T837A Datasheet (PDF)

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
2t837a.pdfpdf_icon

2T837A

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOWith TO-220 packagingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -

Другие транзисторы... ST2001HI , SFT244 , SFT245 , MD1803DFH , 3DD4205D-O-M-N-C , 3DD4205D-O-Z-N-C , 2N3055B , 2SC3907S , 8050 , 3CD3C , 3DA27C , 3DA608 , 3DA98A , 3DA98B , 3DD164F , BFG540-X , BFP196W .

History: GT250-3A | 2N1217

 

 
Back to Top

 


 
.