2T837A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2T837A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для 2T837A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2T837A даташит

 ..1. Size:131K  1
 2t837a 2t837b 2t837v 2t837g 2t837d 2t837e.pdf pdf_icon

2T837A

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 2t837a.pdf pdf_icon

2T837A

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO With TO-220 packaging Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -

Другие транзисторы: ST2001HI, SFT244, SFT245, MD1803DFH, 3DD4205D-O-M-N-C, 3DD4205D-O-Z-N-C, 2N3055B, 2SC3907S, BC546, 3CD3C, 3DA27C, 3DA608, 3DA98A, 3DA98B, 3DD164F, BFG540-X, BFP196W