2SA115 Todos los transistores

 

2SA115 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA115

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W

Tensión colector-base (Vcb): 34 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO44

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2SA115 datasheet

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2SA115

2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current I

 0.2. Size:166K  nec
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2SA115

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2SA115

Otros transistores... 2SA1142 , 2SA1143 , 2SA1144 , 2SA1145 , 2SA1145O , 2SA1145Y , 2SA1146 , 2SA1147 , 2SC2655 , 2SA1150 , 2SA1150O , 2SA1150Y , 2SA1151 , 2SA1152 , 2SA1153 , 2SA1154 , 2SA1155 .

History: 2SA1150Y | 2SA1145 | 2SA1147 | 2SA1133A | 2SC4562 | 2SA1126

 

 

 


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