2SA115 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA115
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 34 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO44
Búsqueda de reemplazo de 2SA115
2SA115 Datasheet (PDF)
2sa1150.pdf
2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit: mm High hFE: h = 100~320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -35 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current I
Otros transistores... 2SA1142 , 2SA1143 , 2SA1144 , 2SA1145 , 2SA1145O , 2SA1145Y , 2SA1146 , 2SA1147 , 8550 , 2SA1150 , 2SA1150O , 2SA1150Y , 2SA1151 , 2SA1152 , 2SA1153 , 2SA1154 , 2SA1155 .
History: A179B | BCW48
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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