2SA115 Todos los transistores

 

2SA115 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA115
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 34 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO44
 

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2SA115 Datasheet (PDF)

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2SA115

2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit: mm High hFE: h = 100~320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -35 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current I

 0.2. Size:166K  nec
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2SA115

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2SA115

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History: KT835A | GN4L3N | NJV4031NT1G | KST63 | 2N5883G | 2SC2511 | BLY96

 

 
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