2SA115 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SA115 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2SA115
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 34 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO44

Аналоги (замена) для 2SA115

2SA115 Datasheet (PDF)

0.1. Size:193K toshiba
2sa1150.pdf

2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit: mm High hFE: h = 100~320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -35 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current I

0.2. Size:166K nec
2sa1156.pdf