2SA115. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA115
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 34 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: TO44
Аналоги (замена) для 2SA115
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA115 даташит
2sa1150.pdf
2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current I
Другие транзисторы: 2SA1142, 2SA1143, 2SA1144, 2SA1145, 2SA1145O, 2SA1145Y, 2SA1146, 2SA1147, 2SC2655, 2SA1150, 2SA1150O, 2SA1150Y, 2SA1151, 2SA1152, 2SA1153, 2SA1154, 2SA1155
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a