SS8550-H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SS8550-H  📄📄 

Código: HY2D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT23

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SS8550-H datasheet

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SS8550-H

SS8550 TRANSISTOR(PNP) SOT 23 FEATURES High Collector Current Complementary to SS8050 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBO V Collector-Emitter Voltage -25 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO IC Collector Current -1.5 A P Collector Power Dissipati

 ..2. Size:1009K  cn salltech
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SS8550-H

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SS8550-H

Jingdao Microelectronics co.LTD SS8550 SS8550 SOT-23 PNP TRANSISTOR 3 FEATURES High Collector Current Complementary to SS8050 1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2 Parameter Symbol Value Unit 1.BASE 2.EMITTER Collector Base Voltage VCBO -40 V 3.COLLECTOR Collector Emitter Voltage VCEO -25 V

 ..4. Size:2848K  cn puolop
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SS8550-H

SS8 550 TRANSISTOR(PNP) FEATURES SOT 23 High Collector Current Complementary to SS8050 MARKING Y2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage -40 V CBO 3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage -25 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO IC Collector Current -1.5 A P Collector

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