SS8550-H Todos los transistores

 

SS8550-H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SS8550-H
   Código: HY2D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SS8550-H Datasheet (PDF)

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SS8550-H

SS8550TRANSISTOR(PNP)SOT23 FEATURES High Collector Current Complementary to SS8050 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBOV Collector-Emitter Voltage -25 V CEOV Emitter-Base Voltage -5 V EBOIC Collector Current -1.5 A P Collector Power Dissipati

 ..2. Size:1009K  cn salltech
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SS8550-H

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SS8550-H

Jingdao Microelectronics co.LTD SS8550 SS8550SOT-23PNP TRANSISTOR3FEATURES High Collector Current Complementary to SS8050 1MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)2ParameterSymbolValue Unit1.BASE2.EMITTERCollectorBase Voltage VCBO -40V3.COLLECTORCollectorEmitter Voltage VCEO -25 V

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SS8550-H

SS8 550 TRANSISTOR(PNP)FEATURES SOT23 High Collector Current Complementary to SS8050 MARKING: Y2MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage -40 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage -25 V CEOV Emitter-Base Voltage -5 V EBOIC Collector Current -1.5 A P Collector

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