2T837B Todos los transistores

 

2T837B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2T837B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de 2T837B

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2T837B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  1
 2t837a 2t837b 2t837v 2t837g 2t837d 2t837e.pdf pdf_icon

2T837B

 9.1. Size:212K  inchange semiconductor
 2t837a.pdf pdf_icon

2T837B

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOWith TO-220 packagingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -

Otros transistores... TIP35AB , TIP35AT , TIP36AB , TIP36AT , UM8168L , SS8550-L , SS8550-H , SS8550-J , 2SC2240 , 2T837V , 2T837G , 2T837D , 2T837E , 9014M-B , 9014M-C , 9014M-D , 9015M-B .

 

 
Back to Top

 


 
.