2T837E Todos los transistores

 

2T837E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2T837E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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2T837E datasheet

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2T837E

 9.1. Size:212K  inchange semiconductor
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2T837E

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO With TO-220 packaging Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -

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