Справочник транзисторов. 2T837E

 

Биполярный транзистор 2T837E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2T837E
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO-220
 

 Аналог (замена) для 2T837E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2T837E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  1
 2t837a 2t837b 2t837v 2t837g 2t837d 2t837e.pdf pdf_icon

2T837E

 9.1. Size:212K  inchange semiconductor
 2t837a.pdf pdf_icon

2T837E

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOWith TO-220 packagingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -

Другие транзисторы... UM8168L , SS8550-L , SS8550-H , SS8550-J , 2T837B , 2T837V , 2T837G , 2T837D , 2SC828 , 9014M-B , 9014M-C , 9014M-D , 9015M-B , 9015M-C , 9015M-D , HLD128D , LM4158D .

 

 
Back to Top

 


 
.