2T837E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2T837E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2T837E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2T837E даташит

 ..1. Size:131K  1
 2t837a 2t837b 2t837v 2t837g 2t837d 2t837e.pdf pdf_icon

2T837E

 9.1. Size:212K  inchange semiconductor
 2t837a.pdf pdf_icon

2T837E

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO With TO-220 packaging Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -

Другие транзисторы: UM8168L, SS8550-L, SS8550-H, SS8550-J, 2T837B, 2T837V, 2T837G, 2T837D, 2SC2383, 9014M-B, 9014M-C, 9014M-D, 9015M-B, 9015M-C, 9015M-D, HLD128D, LM4158D