2SA1155 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1155
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 600
Encapsulados: SP9
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2SA1155 datasheet
2sa1150.pdf
2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current I
Otros transistores... 2SA115 , 2SA1150 , 2SA1150O , 2SA1150Y , 2SA1151 , 2SA1152 , 2SA1153 , 2SA1154 , D965 , 2SA1156 , 2SA1158 , 2SA116 , 2SA1160 , 2SA1160A , 2SA1160B , 2SA1160C , 2SA1161 .
History: 2SA1158
History: 2SA1158
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