Справочник транзисторов. 2SA1155

 

Биполярный транзистор 2SA1155 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1155
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 600
   Корпус транзистора: SP9
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1155 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:193K  toshiba
2sa1150.pdfpdf_icon

2SA1155

2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit: mm High hFE: h = 100~320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -35 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current I

 8.2. Size:166K  nec
2sa1156.pdfpdf_icon

2SA1155

 8.3. Size:24K  nec
2sa1153.pdfpdf_icon

2SA1155

Другие транзисторы... 2SA115 , 2SA1150 , 2SA1150O , 2SA1150Y , 2SA1151 , 2SA1152 , 2SA1153 , 2SA1154 , 2SD669 , 2SA1156 , 2SA1158 , 2SA116 , 2SA1160 , 2SA1160A , 2SA1160B , 2SA1160C , 2SA1161 .

History: 2N4907 | 2SA1067

 

 
Back to Top

 


 
.