2SA1158 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1158
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SA1158
2SA1158 Datasheet (PDF)
8.1. Size:193K toshiba
2sa1150.pdf
2sa1150.pdf
2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit: mm High hFE: h = 100~320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -35 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current I
Otros transistores... 2SA1150O , 2SA1150Y , 2SA1151 , 2SA1152 , 2SA1153 , 2SA1154 , 2SA1155 , 2SA1156 , D667 , 2SA116 , 2SA1160 , 2SA1160A , 2SA1160B , 2SA1160C , 2SA1161 , 2SA1162 , 2SA1163 .
