2SA1158 - описание и поиск аналогов

 

2SA1158. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1158

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SA1158

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1158 даташит

 8.1. Size:193K  toshiba
2sa1150.pdfpdf_icon

2SA1158

2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current I

 8.2. Size:166K  nec
2sa1156.pdfpdf_icon

2SA1158

 8.3. Size:24K  nec
2sa1153.pdfpdf_icon

2SA1158

Другие транзисторы: 2SA1150O, 2SA1150Y, 2SA1151, 2SA1152, 2SA1153, 2SA1154, 2SA1155, 2SA1156, TIP2955, 2SA116, 2SA1160, 2SA1160A, 2SA1160B, 2SA1160C, 2SA1161, 2SA1162, 2SA1163

 

 

 

 

↑ Back to Top
.