3DD6E Todos los transistores

 

3DD6E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD6E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DD6E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  inchange semiconductor
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3DD6E

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD6EDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaHigh DC Current Gain-h =10(Min)@I = 2.5AFE CLow Saturation Voltage-: V )= 1.5V(Max)@ I = 2.5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for high power audio ,disk head positioners andother linear applications, which c

 0.1. Size:110K  china
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3DD6E

3DD6E-T NPN PCM 50 W ICM 5.0 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=3.0mA 350 V V(BR)CEO ICE=3.0mA 250 V V(BR)EBO IEB=1.0mA 5.0 V ICEO VCE=100V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2.5A V IB=0.25A VCEsat 1.2 VCE=5.0V hFE 15~270 IC=2.5A

Otros transistores... TMPTA63 , TMPTA64 , TMPTA70 , TMPTA92 , TMPTA93 , TMPTH81 , 2SD1047-247 , 3CD010G , 13009 , ISCN341N , ISCP233N , KSE340J , KSE350J , KSH13005 , 2SC3866A , 3DK501D , 3DA77 .

 

 
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