3DD6E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD6E
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Empaquetado / Estuche: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD6E
3DD6E Datasheet (PDF)
..1. 3dd6e.pdf 
Size:221K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD6EDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaHigh DC Current Gain-h =10(Min)@I = 2.5AFE CLow Saturation Voltage-: V )= 1.5V(Max)@ I = 2.5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for high power audio ,disk head positioners andother linear applications, which c
0.1. 3dd6e-t.pdf Size:110K _china
3DD6E-T NPN PCM 50 W ICM 5.0 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=3.0mA 350 V V(BR)CEO ICE=3.0mA 250 V V(BR)EBO IEB=1.0mA 5.0 V ICEO VCE=100V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2.5A V IB=0.25A VCEsat 1.2 VCE=5.0V hFE 15~270 IC=2.5A
Otros transistores... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , D882 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .
