3DD6E - описание и поиск аналогов

 

3DD6E - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DD6E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD6E

 

3DD6E - технические параметры

 ..1. Size:221K  inchange semiconductor
 3dd6e.pdf pdf_icon

3DD6E

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD6E DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain-h =10(Min)@I = 2.5A FE C Low Saturation Voltage- V )= 1.5V(Max)@ I = 2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for high power audio ,disk head positioners and other linear applications, which c

 0.1. Size:110K  china
 3dd6e-t.pdf pdf_icon

3DD6E

Другие транзисторы... TMPTA63 , TMPTA64 , TMPTA70 , TMPTA92 , TMPTA93 , TMPTH81 , 2SD1047-247 , 3CD010G , TIP3055 , ISCN341N , ISCP233N , KSE340J , KSE350J , KSH13005 , 2SC3866A , 3DK501D , 3DA77 .

 

 
Back to Top

 


 
.