Справочник транзисторов. 3DD6E

 

Биполярный транзистор 3DD6E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD6E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 3DD6E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD6E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  inchange semiconductor
 3dd6e.pdf pdf_icon

3DD6E

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD6EDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaHigh DC Current Gain-h =10(Min)@I = 2.5AFE CLow Saturation Voltage-: V )= 1.5V(Max)@ I = 2.5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for high power audio ,disk head positioners andother linear applications, which c

 0.1. Size:110K  china
 3dd6e-t.pdf pdf_icon

3DD6E

3DD6E-T NPN PCM 50 W ICM 5.0 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=3.0mA 350 V V(BR)CEO ICE=3.0mA 250 V V(BR)EBO IEB=1.0mA 5.0 V ICEO VCE=100V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2.5A V IB=0.25A VCEsat 1.2 VCE=5.0V hFE 15~270 IC=2.5A

Другие транзисторы... TMPTA63 , TMPTA64 , TMPTA70 , TMPTA92 , TMPTA93 , TMPTH81 , 2SD1047-247 , 3CD010G , 13009 , ISCN341N , ISCP233N , KSE340J , KSE350J , KSH13005 , 2SC3866A , 3DK501D , 3DA77 .

History: GD618 | 3CD6124 | 2SC4081F

 

 
Back to Top

 


 
.