ISCP233N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISCP233N
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO3PN
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ISCP233N Datasheet (PDF)
..1. Size:244K inchange semiconductor
iscp233n.pdf
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isc Silicon PNP Power Transistor ISCP233NDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -250V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 60-200@I = -1AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general-purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SY
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