ISCP233N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISCP233N
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO3PN
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ISCP233N datasheet
iscp233n.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor ISCP233N DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -250V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain- h = 60-200@I = -1A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SY
Otros transistores... TMPTA70 , TMPTA92 , TMPTA93 , TMPTH81 , 2SD1047-247 , 3CD010G , 3DD6E , ISCN341N , BC557 , KSE340J , KSE350J , KSH13005 , 2SC3866A , 3DK501D , 3DA77 , 3DF5B , ISCN366P .
History: ZT182
History: ZT182
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Liste
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