ISCP233N - описание и поиск аналогов

 

ISCP233N - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ISCP233N
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для ISCP233N

 

ISCP233N - технические параметры

 ..1. Size:244K  inchange semiconductor
 iscp233n.pdf pdf_icon

ISCP233N

isc Silicon PNP Power Transistor ISCP233N DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -250V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain- h = 60-200@I = -1A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SY

Другие транзисторы... TMPTA70 , TMPTA92 , TMPTA93 , TMPTH81 , 2SD1047-247 , 3CD010G , 3DD6E , ISCN341N , BC557 , KSE340J , KSE350J , KSH13005 , 2SC3866A , 3DK501D , 3DA77 , 3DF5B , ISCN366P .

 

 
Back to Top

 


 
.