Справочник транзисторов. ISCP233N

 

Биполярный транзистор ISCP233N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ISCP233N
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO3PN
 

 Аналог (замена) для ISCP233N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISCP233N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  inchange semiconductor
 iscp233n.pdf pdf_icon

ISCP233N

isc Silicon PNP Power Transistor ISCP233NDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -250V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 60-200@I = -1AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general-purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SY

Другие транзисторы... TMPTA70 , TMPTA92 , TMPTA93 , TMPTH81 , 2SD1047-247 , 3CD010G , 3DD6E , ISCN341N , TIP122 , KSE340J , KSE350J , KSH13005 , 2SC3866A , 3DK501D , 3DA77 , 3DF5B , ISCN366P .

History: GN4L3Z | 2SB449 | BFY12B | BD602 | 2SA1052D | 8550SS

 

 
Back to Top

 


 
.