Справочник транзисторов. ISCP233N

 

Биполярный транзистор ISCP233N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ISCP233N

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO3PN

Аналоги (замена) для ISCP233N

 

 

ISCP233N Datasheet (PDF)

..1. iscp233n.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

ISCP233N
ISCP233N

isc Silicon PNP Power Transistor ISCP233NDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -250V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 60-200@I = -1AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general-purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SY

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , D882 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top