Справочник транзисторов. ISCP233N

 

Биполярный транзистор ISCP233N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ISCP233N

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO3PN

Аналоги (замена) для ISCP233N

 

 

ISCP233N Datasheet (PDF)

..1. iscp233n.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

ISCP233N ISCP233N

isc Silicon PNP Power Transistor ISCP233NDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -250V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 60-200@I = -1AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general-purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SY

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top