ISCP233N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ISCP233N  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ISCP233N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISCP233N даташит

 ..1. Size:244K  inchange semiconductor
 iscp233n.pdf pdf_icon

ISCP233N

isc Silicon PNP Power Transistor ISCP233N DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -250V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain- h = 60-200@I = -1A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SY

Другие транзисторы: TMPTA70, TMPTA92, TMPTA93, TMPTH81, 2SD1047-247, 3CD010G, 3DD6E, ISCN341N, BC557, KSE340J, KSE350J, KSH13005, 2SC3866A, 3DK501D, 3DA77, 3DF5B, ISCN366P