S8550MG-D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S8550MG-D  📄📄 

Código: GY4D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: SOT23

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S8550MG-D datasheet

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S8550MG-D

S8550MG Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050MG Complementary pair with S8050MG.HF Product. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circu

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S8550MG-D

S8550M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050M Complementary pair with S8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning

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S8550MG-D

S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. S8050M(3DG8050M) /Features Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA

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