Справочник транзисторов. S8550MG-D

 

Биполярный транзистор S8550MG-D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: S8550MG-D
   Маркировка: GY4D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для S8550MG-D

 

 

S8550MG-D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:704K  blue-rocket-elect
s8550mg.pdf

S8550MG-D
S8550MG-D

S8550MG Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050MG Complementary pair with S8050MG.HF Product. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circu

 8.1. Size:665K  blue-rocket-elect
s8550m.pdf

S8550MG-D
S8550MG-D

S8550M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050M Complementary pair with S8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning

 8.2. Size:136K  foshan
3cg8550m s8550m.pdf

S8550MG-D
S8550MG-D

S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Power amplifier applications. : S8050M(3DG8050M)/Features: Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top