DZT5551Q Todos los transistores

 

DZT5551Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DZT5551Q
   Código: K4N
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT223

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DZT5551Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  diodes
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DZT5551Q
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DZT5551Q 160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Description Mechanical Data This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the Case: SOT223 stringent requirements of Automotive Applications. Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Features Ter

 7.1. Size:149K  diodes
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DZT5551Q
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DZT5551160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 160V Case: SOT223 Case material: molded plastic. Green molding compound. BVEBO > 6V UL Flammability Rating 94V-0 IC = 600mA Continuous Collector Current Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Saturation Voltage (150mV max @10mA) Terminals: Finish -

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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