Справочник транзисторов. DZT5551Q

 

Биполярный транзистор DZT5551Q Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DZT5551Q
   Маркировка: K4N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

DZT5551Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  diodes
 dzt5551q.pdf pdf_icon

DZT5551Q

DZT5551Q 160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Description Mechanical Data This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the Case: SOT223 stringent requirements of Automotive Applications. Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Features Ter

 7.1. Size:149K  diodes
 dzt5551.pdf pdf_icon

DZT5551Q

DZT5551160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 160V Case: SOT223 Case material: molded plastic. Green molding compound. BVEBO > 6V UL Flammability Rating 94V-0 IC = 600mA Continuous Collector Current Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Saturation Voltage (150mV max @10mA) Terminals: Finish -

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N1081 | 2SC6040 | 3DG12 | 2SC4006 | BSR15 | D45VH2 | 3N34

 

 
Back to Top

 


 
.