DZT5551Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DZT5551Q

Маркировка: K4N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для DZT5551Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DZT5551Q даташит

 ..1. Size:486K  diodes
dzt5551q.pdfpdf_icon

DZT5551Q

DZT5551Q 160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Description Mechanical Data This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the Case SOT223 stringent requirements of Automotive Applications. Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Features Ter

 7.1. Size:149K  diodes
dzt5551.pdfpdf_icon

DZT5551Q

DZT5551 160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 160V Case SOT223 Case material molded plastic. Green molding compound. BVEBO > 6V UL Flammability Rating 94V-0 IC = 600mA Continuous Collector Current Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Saturation Voltage (150mV max @10mA) Terminals Finish -

Другие транзисторы: DCP56, DCP56-16, DCX53, DCX53-16, DCX56, DCX56-16, DDC143XU, DNLS350, TIP41, FMMT459Q, FMMT491Q, FMMT560Q, FZT653Q, MMDT2227Q, ZXTN2005ZQ, ZXTN3035CLP, ZXTN4240F