RD9FE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RD9FE
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 42 V
Tensión colector-emisor (Vce): 22 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 400
Paquete / Cubierta: TO126
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RD9FE Datasheet (PDF)
rd9fe.pdf

SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors RD9FE TRANSISTOR (NPN) TO-126 FEATURES Audio amplifier Flash unit of camera 1. EMITTER Switching circuit 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22
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SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors RD9FE TRANSISTOR (NPN) TO-126 FEATURES Audio amplifier Flash unit of camera 1. EMITTER Switching circuit 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22
Otros transistores... FZT653Q , MMDT2227Q , ZXTN2005ZQ , ZXTN3035CLP , ZXTN4240F , ZXTP2009ZQ , HR13003 , HT13003 , TIP42C , BF850BF , BC857BF , BC858BL3 , BF776 , BFP182R , BFP182W , BFP183W , BFP193W .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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