RD9FE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD9FE

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 42 V

Tensión colector-emisor (Vce): 22 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 400

Encapsulados: TO126

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RD9FE datasheet

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RD9FE

SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors RD9FE TRANSISTOR (NPN) TO-126 FEATURES Audio amplifier Flash unit of camera 1. EMITTER Switching circuit 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22

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RD9FE

SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors RD9FE TRANSISTOR (NPN) TO-126 FEATURES Audio amplifier Flash unit of camera 1. EMITTER Switching circuit 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22

Otros transistores... FZT653Q, MMDT2227Q, ZXTN2005ZQ, ZXTN3035CLP, ZXTN4240F, ZXTP2009ZQ, HR13003, HT13003, TIP42C, BF850BF, BC857BF, BC858BL3, BF776, BFP182R, BFP182W, BFP183W, BFP193W