RD9FE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RD9FE

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 42 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для RD9FE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RD9FE даташит

 ..1. Size:212K  shenzhen
 rd9fe.pdf pdf_icon

RD9FE

SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors RD9FE TRANSISTOR (NPN) TO-126 FEATURES Audio amplifier Flash unit of camera 1. EMITTER Switching circuit 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22

 ..2. Size:212K  haolin elec
 rd9fe.pdf pdf_icon

RD9FE

SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors RD9FE TRANSISTOR (NPN) TO-126 FEATURES Audio amplifier Flash unit of camera 1. EMITTER Switching circuit 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22

Другие транзисторы: FZT653Q, MMDT2227Q, ZXTN2005ZQ, ZXTN3035CLP, ZXTN4240F, ZXTP2009ZQ, HR13003, HT13003, TIP42C, BF850BF, BC857BF, BC858BL3, BF776, BFP182R, BFP182W, BFP183W, BFP193W