BF776 Todos los transistores

 

BF776 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF776
   Código: R3*
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 13 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 46000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.09 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT343
     - Selección de transistores por parámetros

 

BF776 Datasheet (PDF)

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BF776

BF776High Performance NPN Bipolar RF Transistor High performance low noise amplifier3 Low minimum noise figure of typ. 0.8 dB @ 1.8 GHz241 For a wide range of non automotive applications such as WLAN, WiMax, UWB, Bluetooth, GPS, SDARs, DAB, LNB, UMTS/LTE and ISM bands Easy to use standard package with visible leads Pb-free (RoHS compliant) packageESD (El

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