BF776 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF776

Маркировка: R3*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 46000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.09 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BF776

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF776 даташит

 ..1. Size:504K  infineon
 bf776.pdf pdf_icon

BF776

BF776 High Performance NPN Bipolar RF Transistor High performance low noise amplifier 3 Low minimum noise figure of typ. 0.8 dB @ 1.8 GHz 2 4 1 For a wide range of non automotive applications such as WLAN, WiMax, UWB, Bluetooth, GPS, SDARs, DAB, LNB, UMTS/LTE and ISM bands Easy to use standard package with visible leads Pb-free (RoHS compliant) package ESD (El

Другие транзисторы: ZXTN4240F, ZXTP2009ZQ, HR13003, HT13003, RD9FE, BF850BF, BC857BF, BC858BL3, TIP31C, BFP182R, BFP182W, BFP183W, BFP193W, BFP196, BFP405, BFP405F, BFP410