BFP410 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFP410
Código: AK*
Material: SiGe
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 13 V
Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 18000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.09 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT343
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BFP410
BFP410 Datasheet (PDF)
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BFP410Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor Low current device suitable e.g. for handhelds3 For high frequency oscillators e.g. DRO for LNB241 For ISM band applications like Automatic Meter Reading, Sensors etc. Transit frequency fT = 25 GHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package with visible leads Qualification report according to AEC-Q1
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
